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一种高亮度的倒装RGB LED芯片 

申请/专利权人:安徽芯瑞达科技股份有限公司

申请日:2023-11-01

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN221226257U

主分类号:H01L33/48

分类号:H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/58;H01L25/075;G09F9/33

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权

摘要:本实用新型公开了一种高亮度的倒装RGBLED芯片。PCB基板表面设有电极和固定电极的电极座,电极和RGB芯片单元的电极对位贴合,实现对RGB芯片单元的焊接;每一RGB芯片单元包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片;其中,LED芯片采取Mini级或者Micro级。PCB基板和RGB芯片单元之间设置填充层,RGB芯片单元间隔设置阻挡墙,RGB芯片单元上端设置封装层。利用阻挡墙对LED芯片发出的散射光进行遮挡,利用封装层提高LED芯片单元混光的均匀性,从而得到高亮度的倒装RGBLED芯片结构。

主权项:1.一种高亮度的倒装RGBLED芯片,包括PCB基板1,其特征在于,所述PCB基板1上设置RGB芯片单元2,每一RGB芯片单元2间隔设置阻挡墙3,RGB芯片单元2的上端设置封装层4。

全文数据:

权利要求:

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