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申请/专利权人：上海朋熙半导体有限公司
申请日：2024-01-11
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099013A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请提供了一种推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及介质，方法包括获取半导体制程测量数据，根据所述半导体制程测量数据，得到缺陷参数；根据所述缺陷参数，计算得到面积比例和长宽比例；根据所述面积比例确定聚集程度，根据所述长宽比例确定扁平程度；根据所述聚集程度和所述扁平程度，结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状和缺陷类型。本申请基于缺陷参数推测缺陷形状的方法，与传统的缺陷识别方法相比，不再需要依赖机台拍照或高分辨率图像数据。通过结合缺陷的尺寸、面积、长宽比等参数，以及数学模型和专业知识，实现了在不依赖复杂图像处理的情况下，快速推测缺陷的大致形状。
主权项：1.一种推测半导体制程中缺陷形状方法，其特征在于，所述方法包括：获取半导体制程测量数据，根据所述半导体制程测量数据，得到缺陷参数；根据所述缺陷参数，计算得到面积比例和长宽比例；根据所述面积比例确定聚集程度，根据所述长宽比例确定扁平程度；根据所述聚集程度和所述扁平程度，结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状和缺陷类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海朋熙半导体有限公司 推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及可读介质
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