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申请/专利权人：哈尔滨工业大学;哈工大郑州研究院
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118116978A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/329;G01K7/01
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开
摘要：通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器及其制备方法，本发明是为了解决现有二级管温度传感器传感灵敏度低、温度监测范围小的问题。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器包括本征金刚石衬底、高浓度掺硼金刚石层、欧姆电极、金刚石低掺杂耗尽层和肖特基电极，在本征金刚石衬底上沉积高浓度掺硼金刚石层，在高浓度掺硼金刚石层上沉积欧姆电极并以欧姆电极作为金属掩膜进行选择性生长外延金刚石低掺杂耗尽层，在金刚石低掺杂耗尽层上沉积薄金属电极作为肖特基电极。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器具有更大的温度监测范围、更高的温度传感灵敏度。
主权项：1.通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器，其特征在于该金刚石肖特基二极管温度传感器包括本征金刚石衬底1、高浓度掺硼金刚石层2、欧姆电极3、金刚石低掺杂耗尽层4和肖特基电极5，在本征金刚石衬底1上沉积高浓度掺硼金刚石层2，在高浓度掺硼金刚石层2上沉积欧姆电极3并以欧姆电极3作为金属掩膜进行选择性生长外延金刚石低掺杂耗尽层4，在金刚石低掺杂耗尽层4上沉积薄金属电极作为肖特基电极5；其中高浓度掺硼金刚石层2的掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1021cm-3，低掺杂耗尽层4的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1016cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学;哈工大郑州研究院 通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器及其制备方法
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