申请/专利权人：无锡海纳智能科技有限公司;北京京运通科技股份有限公司

申请日：2022-03-22

公开（公告）日：2024-05-31

公开（公告）号：CN114752996B

主分类号：G06T3/4046

分类号：G06T3/4046;C30B15/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.31#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开

摘要：本发明提供了一种单晶硅放肩阶段拉晶速度的智能调整方法以及存储介质，该方法包括：获取到处于放肩阶段的单晶硅图像；基于关键点检测得到所述单晶硅图像中的多个开叉端点；对所述单晶硅图像进行分割处理，得到多个开叉端点之间的约束关系；根据约束关系得到所述多个开叉端点的多个组合，其中，每个组合中包括两个开叉端点；根据所述每个组合中两个开叉端点的距离生成单晶硅的实际开叉长度；基于所述实际开叉长度调整单晶硅的拉晶速度。解决了现有技术中需要工人肉眼通过单晶炉观察单晶硅棒的实时状态，然后根据主观经验来控制拉晶的速度导致放肩过程拉速控制精度较低的技术问题。

主权项：1.一种单晶硅放肩阶段拉晶速度的智能调整方法，其特征在于，所述方法包括：获取到处于放肩阶段的单晶硅图像；基于关键点检测得到所述单晶硅图像中的多个开叉端点；对所述单晶硅图像进行分割处理，得到多个开叉端点之间的约束关系；根据约束关系得到所述多个开叉端点的多个组合，其中，每个组合中包括两个开叉端点；根据所述每个组合中两个开叉端点的距离生成单晶硅的实际开叉长度；基于所述实际开叉长度调整单晶硅的拉晶速度；在获取到处于放肩阶段的单晶硅图像之后，所述方法包括：提取所述单晶硅图像的特征并且将单晶硅图像的特征分为第一组特征以及第二组特征，其中，基于关键点检测得到所述单晶硅图像中的多个开叉端点的步骤包括：将所述第一组特征输入第一卷积神经网络，以输出所述单晶硅图像中的多个开叉端点；对所述单晶硅图像进行分割处理的步骤包括：将所述第二组特征输入第二卷积神经网络，以输出多个开叉的位置并且基于多个开叉的位置得到所述多个开叉端点之间的约束关系；基于所述实际开叉长度调整单晶硅的拉晶速度的步骤包括：确定所述单晶硅在所述放肩阶段所处的子阶段；获取与所述子阶段关联的标准开叉长度；将所述实际开叉长度同所述标准开叉长度进行比对；在所述实际开叉长度小于所述标准开叉长度的情况下，控制减小单晶硅的拉晶速度，使得所述实际开叉长度增长至所述标准开叉长度；在所述实际开叉长度大于所述标准开叉长度的情况下，控制增大单晶硅的拉晶速度，使得所述实际开叉长度降低至所述标准开叉长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡海纳智能科技有限公司;北京京运通科技股份有限公司 一种单晶硅放肩阶段开叉的智能调整方法以及存储介质

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