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申请/专利权人：润新微电子(大连)有限公司
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN117913135B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L27/07;H01L21/335
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.04#授权;2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和盖帽层；源电极的下方设有电性隔离区，电性隔离区内的二维电子气与其外部的二维电子气电性隔开，电性隔离区的一端与独立电极连接；独立电极还与栅电极连接。本发明的耗尽型GaN器件，其源电极与栅电极之间具有二极管特性，形成级联器件后，能够有效钳制瞬态与稳态下的源电极与栅电极之间的电压差，使整个级联型器件的电压匹配。
主权项：1.一种耗尽型GaN器件，其特征在于，包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，所述源电极、漏电极和独立电极均位于所述叠层结构和介电层中，所述栅电极位于所述介电层中，所述叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和盖帽层，所述沟道层与势垒层的界面处形成二维电子气；所述源电极的下方设置有电性隔离区，所述电性隔离区内具有二维电子气，所述电性隔离区内的二维电子气与电性隔离区外部的二维电子气电性隔开，所述电性隔离区的一端与所述独立电极连接；所述独立电极还与所述栅电极连接，所述源电极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述电性隔离区在所述衬底上的正投影。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 润新微电子(大连)有限公司 一种耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件
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