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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-09
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159035A
主分类号：H10B51/30
分类号：H10B51/30;H10B51/40;H10B51/50
优先权：["20230213 US 63/484,541","20230531 US 18/326,218"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本公开的各个实施例针对包括设置在第一导电互连结构和第二导电互连结构之间的铁电结构的集成芯片。第一导电互连结构位于衬底上面。第二导电互连结构位于第一导电互连结构上面。第二导电互连结构包括直接位于导电通孔段上面的导线段。铁电结构沿导线段的相对侧壁和底面并且沿导电通孔段的相对侧壁和底面连续延伸。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
主权项：1.一种集成芯片，包括：第一导电互连结构，位于衬底上面；第二导电互连结构，位于所述第一导电互连结构上面，其中，所述第二导电互连结构包括直接位于导电通孔段上面的导线段；以及铁电结构，设置在所述第一导电互连结构和所述第二导电互连结构之间，其中，所述铁电结构沿所述导线段的相对侧壁和底面并且沿所述导电通孔段的相对侧壁和底面连续延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片及其形成方法
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