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申请/专利权人：大庆师范学院
申请日：2024-01-30
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118151273A
主分类号：G02B5/00
分类号：G02B5/00;G02B1/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本申请公开了一种金属酞菁二维半导体双层固态复合薄膜，所述金属酞菁二维半导体双层固态复合薄膜包括：二维半导体层和设置在二维半导体层上的金属酞菁层。本申请的技术方案是通过调控二维半导体薄膜厚度，在保持弱光透过率几乎不变基础上，提升光限幅性能的固态双层复合薄膜构建方法。Z‑扫描测试和紫外可见吸收光谱测试表明，制备的复合薄膜对脉冲宽度为10ns的532nm激光展现出小于100mJcm2的限幅阈值，对532nm光的弱光透过率超过80％。本申请复合薄膜作为光限幅材料在光防护领域具有潜在的应用价值，为制备高性能的光限幅材料打下了良好的基础。
主权项：1.一种金属酞菁二维半导体双层固态复合薄膜，其特征在于，所述金属酞菁二维半导体双层固态复合薄膜包括：二维半导体层和设置在二维半导体层上的金属酞菁层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大庆师范学院 一种金属酞菁/二维半导体双层固态复合薄膜及其制备方法和应用
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