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【发明公布】半导体测试结构及半导体测试方法_上海积塔半导体有限公司_202410239625.7 

申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司

申请日:2024-03-01

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN118156253A

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26;G01R31/52;G01R31/54

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.07#公开

摘要:本发明公开了一种半导体测试结构及半导体测试方法。本发明通过设计上下层待测金属层的相应待测金属条首尾依次连接形成串联的链条结构的第一测试模块,以及,引入金属层的引入金属条与引入金属块依次连接形成串联的S形或反S结构的第二测试模块,所述引入金属条上设置有多个引入通孔、所述引入通孔的宽度小于同一所述待测金属层的待测金属条在第三方向上的目标间隔、所述引入通孔的高度大于或等于所述引入金属层与相邻所述待测金属层之间的间距;能够实现对晶体管金属间是否存在开路、短路进行测试,进而根据测试结果对晶体管金属间接触情况以及是否存在套刻误差进行监控。

主权项:1.一种半导体测试结构,其特征在于,包括:基底;多层待测金属层,沿第一方向堆叠于所述基底上,每一所述待测金属层形成有多个沿第二方向延伸并间隔排布、且沿第三方向间隔排布的待测金属条,且相邻两所述待测金属层的相应待测金属条之间通过待测通孔连接,以形成串联的第一测试模块,其中,所述第二方向与第三方向均垂直于所述第一方向;至少一引入金属层,沿第一方向堆叠于所述基底上,所述引入金属层与任一层所述待测金属层不同层,所述引入金属层具有多个沿所述第二方向延伸的引入金属条,在所述第三方向上,相邻两所述引入金属条通过引入金属块连接形成串联的第二测试模块,所述引入金属条上设置有多个引入通孔、所述引入通孔的宽度小于同一所述待测金属层的待测金属条在所述第三方向上的目标间隔、所述引入通孔的高度大于或等于所述引入金属层与相邻所述待测金属层之间的间距;测试焊垫组,所述测试焊垫组包括与所述第一测试模块的首端电连接的第一焊垫,与所述第一测试模块的尾端电连接的第二焊垫,以及与所述第二测试模块的首端或尾端电连接的第三焊垫。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海积塔半导体有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法

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