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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2019-04-24
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156181A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01J37/32;H01L21/683
优先权：["20180427 JP 2018-087214"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理容器；载置被处理体的载置台，其设置于所述等离子体处理容器；设置于所述载置台的至少一个电极；与所述至少一个电极电连接的至少一个直流电源；和控制器，其构成为能够控制所述至少一个直流电源，以使得：i将负直流脉冲电压从所述至少一个直流电源施加到所述至少一个电极；并且，ii随着时间的经过，减少施加到所述至少一个电极的所述负直流脉冲电压的频率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体蚀刻装置
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