申请/专利权人:格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日:2021-01-20
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN113363176B
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66
优先权:["20200220 US 16/796,372"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.07#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开
摘要:本发明涉及具有伪填充图案的芯片角落区,揭示芯片的角落区的结构以及制造芯片的角落区的结构的方法。芯片包括主动电路区域、位于该主动电路区域中的集成电路以及角落区。该角落区包括提供伪填充的伪结构。
主权项:1.一种半导体结构,包括:芯片,包括主动电路区域、周边、位于该主动电路区域中的集成电路以及角落区;第一沟槽隔离区域,位于该芯片的该主动电路区域与该角落区之间;第二沟槽隔离区域,围绕该芯片的该周边延伸;以及多个伪结构,位于该角落区中,其中,该芯片的该角落区是被该第一沟槽隔离区域及该第二沟槽隔离区域围绕的区域,且该第一沟槽隔离区域从该第二沟槽隔离区域的第一部分至该第二沟槽隔离区域的第二部分斜向延伸。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有伪填充图案的芯片角落区
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