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申请/专利权人：复旦大学
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173601A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开一种具有掩埋式场限环的碳化硅器件接地方法。该方法包括以下步骤：进行网格状元胞版图设计，使具有掩埋式场限环的碳化硅元胞呈现网格状排列；对元胞实行交叉节点分布式接地或分段分布式接地，以减小器件的特征尺寸，降低器件单位面积电阻。该方法能够显著减小器件的特征尺寸，提升器件元胞密度及反向续流能力。
主权项：1.一种具有掩埋式场限环的碳化硅器件接地方法，其特征在于，包括以下步骤：进行网格状元胞版图设计，使具有掩埋式场限环的碳化硅元胞呈现网格状排列；对元胞实行交叉节点分布式接地或分段分布式接地，以减小器件的特征尺寸，降低器件单位面积电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种具有掩埋式场限环的碳化硅器件接地方法
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