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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日：2023-07-24
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175840A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221209 US 18/078,349"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：一种具有超轻度掺杂区的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，具有一字元线以及一栓塞，该字元线延伸进入该半导体基底中，该栓塞延伸进入该半导体基底中且设置在邻近该字元线处。该半导体基底界定有一源极区、一漏极区以及一超轻度掺杂区，该漏极区相对该源极区，该超轻度掺杂区位在该漏极区下方，该字元线设置在该源极区与该漏极区之间，且该超轻度掺杂区设置在该字元线的一侧壁处。该超轻度掺杂区具有一第一超轻度掺杂区以及一第二超轻度掺杂区，该第一超轻度掺杂区具有一第一导电类型，该第二超轻度掺杂区具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型。该字元线的一长度显著大于或等于该超轻度掺杂区的一深度。
主权项：1.一种存储器元件，包括：一半导体基底，具有一字元线以及一栓塞，该字元线延伸进入该半导体基底中，该栓塞延伸进入该半导体基底中且设置在邻近该字元线处，其中该半导体基底界定有一源极区、一漏极区以及一超轻度掺杂区，该漏极区相对该源极区，该超轻度掺杂区位在该漏极区下方，该字元线设置在该源极区与该漏极区之间，且该超轻度掺杂区设置在该字元线的一侧壁处，其中该超轻度掺杂区具有一第一超轻度掺杂区以及一第二超轻度掺杂区，该第一超轻度掺杂区具有一第一导电类型，该第二超轻度掺杂区具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型，其中该字元线的一长度显著大于或等于该超轻度掺杂区的一深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有超轻度掺杂区的存储器元件及其制备方法
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