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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248201A
主分类号：G11C16/16
分类号：G11C16/16;G11C16/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种存储器的擦除方法，擦除一目标存储区之后，对目标存储区执行预编程操作，对与所述目标存储区共阱区的至少部分背景存储区执行第一刷新编程操作，然后对所述目标存储区执行擦除操作。本发明在对所述目标存储区执行擦除操作之前对至少部分所述背景存储区执行了所述第一刷新编程操作，从而可以修复所述目标存储区在执行上一次擦除操作时对所述背景存储区产生的干扰，避免所述背景存储区的存储单元因受干扰丢失电子而导致误读的问题，提高了数据存储的稳定性和可靠性，并且即使所述目标存储区执行擦除操作之后发生了异常掉电，也能够保证所述背景存储区数据读取的正确性。
主权项：1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：擦除一目标存储区，与所述目标存储区共阱区的存储区为背景存储区；对目标存储区执行预编程操作；对至少部分所述背景存储区执行第一刷新编程操作；以及，对所述目标存储区执行擦除操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 存储器的擦除方法
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