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申请/专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日：2021-04-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113223945B
主分类号：H01L21/265
分类号：H01L21/265;H01L21/266;H01L21/316;H01L21/311;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：本发明公开一种横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件，该横向变掺杂结构的制造方法包括：在衬底上形成衬垫氧化层；对衬垫氧化层下方的衬底进行局部热氧化以生成包括鸟嘴区的场氧化层，其中，鸟嘴区的氧化层厚度横向渐变；在鸟嘴区上方向鸟嘴区下方的衬底注入掺杂离子。本发明能够使得小尺寸横向功率半导体器件具有较好的横向变掺杂效果。
主权项：1.一种横向变掺杂结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成衬垫氧化层；对所述衬垫氧化层下方的所述衬底进行局部热氧化以生成包括鸟嘴区的场氧化层，其中，所述鸟嘴区的氧化层厚度横向渐变；在所述鸟嘴区上方向所述鸟嘴区下方的所述衬底注入掺杂离子，以使所述鸟嘴区下方的衬底因厚度横向渐变的所述鸟嘴区对掺杂离子注入具有不同程度的阻挡而形成横向变掺杂结构；其中，所述衬底为第一传导类型的半导体材料，所述掺杂离子为第二传导类型的掺杂离子，以及，所述衬底中各区域内第一传导类型的离子多于注入的所述掺杂离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杰华特微电子股份有限公司 横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件
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