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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-09-29
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN111128667B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：["20181031 KR 10-2018-0131733"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2020.05.08#公开
摘要：本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
主权项：1.一种等离子体处理装置，包括：腔室，包括配置为执行晶片的处理工艺的空间；支撑构件，设置在所述腔室内部并配置为支撑所述晶片；气体供应单元，配置为在不同的方向上朝向所述支撑构件注入混合气体，其中所述混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制；气体流动控制器，将低反应性气体或惰性气体供应到所述腔室的下部空间；以及气体排出口，设置在所述腔室的所述下部空间中并且配置为将所述低反应性气体或所述惰性气体在远离所述支撑构件的第四方向上从所述腔室排出，其中所述气体流动控制器将所述低反应性气体或所述惰性气体在垂直于所述第四方向的方向上供应到所述腔室的所述下部空间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置
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