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申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日：2023-09-21
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN221125949U
主分类号：H01L27/12
分类号：H01L27/12;H01L29/786
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权
摘要：本申请实施例公开了一种驱动基板及显示面板，本申请的驱动基板在栅极绝缘层上形成刻蚀阻挡层或牺牲层，当制备图案化的栅极金属层时，会采用刻蚀气体过度刻蚀栅极金属层，由于刻蚀阻挡层或牺牲层可阻挡刻蚀气体，使得栅极绝缘层不被刻蚀，从而提高栅极绝缘层的厚度均一性。栅极绝缘层的厚度均一，可使得在对有源层进行轻掺杂时，掺杂离子植入有源层的深度一致，以提高薄膜晶体管之间的电性均一性。
主权项：1.一种驱动基板，包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动基板包括：基板；有源层，所述有源层设置在所述基板上，所述有源层包括沟道、第一重掺杂部、第二重掺杂部、第一轻掺杂部和第二轻掺杂部，所述第一重掺杂部设置在所述沟道的一侧，所述第二重掺杂部设置在所述沟道的另一侧，所述第一轻掺杂部连接设置在所述沟道和所述第一重掺杂部之间，所述第二轻掺杂部连接设置在所述沟道和所述第二重掺杂部之间；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖在所述有源层远离所述基板的一面上；刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面上，且至少遮挡所述有源层；栅极金属层，所述栅极金属层包括栅极，所述栅极设置在所述刻蚀阻挡层远离所述栅极绝缘层的一面上，所述栅极和所述沟道重叠设置；源漏绝缘层，所述源漏绝缘层覆盖在所述栅极金属层远离所述基板的一面上，且覆盖所述刻蚀阻挡层；以及源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述源极连接于所述第一重掺杂部，所述漏极连接于所述第二重掺杂部；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡刻蚀气体，所述刻蚀气体用于刻蚀所述栅极金属层的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 驱动基板及显示面板
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