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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种实现超级结器件深沟槽刻蚀一致性的方法，包括：提供形成有硬掩膜层的晶圆；进行第一次刻蚀以形成深沟槽；选取至少两片晶圆来对其深沟槽进行量测以得到第一关键尺寸；对第一关键尺寸进行比较以得到比较差值，并判断比较差值是否满足预设条件，若满足预设条件，判断平均关键尺寸与目标关键尺寸之间的补偿差值是否在预设范围内，若在预设范围内，利用刻蚀作业设备从预先设定的刻蚀条件中选出对应的刻蚀条件以自动地对深沟槽进行第二次刻蚀，若不满足预设条件，根据补偿差值与预设范围的最小值或最大值的关系选择刻蚀条件对深沟槽进行第二次刻蚀。通过本发明解决了以现有方法形成深沟槽易导致各批次晶圆间关键尺寸一致性较差的问题。
主权项：1.一种实现超级结器件深沟槽刻蚀一致性的方法，其特征在于，所述方法包括：提供形成有硬掩膜层的一批次晶圆；对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀以形成具有第一关键尺寸的深沟槽；选取至少两片晶圆来对其深沟槽进行量测以得到各晶圆的所述第一关键尺寸；对选取出的各晶圆的所述第一关键尺寸进行比较以得到比较差值，并判断所述比较差值是否满足预设条件，若满足所述预设条件，计算所选出的各晶圆的平均关键尺寸，并判断所述平均关键尺寸与目标关键尺寸之间的补偿差值是否在预设范围内，若在所述预设范围内，根据所述平均关键尺寸与所述目标关键尺寸的补偿差值，利用刻蚀作业设备从预先设定的刻蚀条件中选出对应的刻蚀条件以自动地对所述深沟槽进行第二次刻蚀，若不满足所述预设条件，根据所述补偿差值与所述预设范围的最小值或最大值的关系选择刻蚀条件对所述深沟槽进行第二次刻蚀；其中，所述平均关键尺寸为所选取的各晶圆的第一关键尺寸的平均值。
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权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 实现超级结器件深沟槽刻蚀一致性的方法
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