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申请/专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198198A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L23/544;H01L21/268;H01L21/306;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，以解决识别不到Mark点，导致定位出现偏差，致使形成的太阳能电池质量低的问题。太阳能电池的制作方法包括：在半导体基底第一面上形成第一导电半导体层；采用第一激光照射工艺对第一导电半导体层处理，以形成标记区；获取标记区采用第二激光照射工艺对第一导电半导体层处理，以形成照射区域和非照射区域；非照射区域形成第一导电半导体区域；采用湿法刻蚀处理第一导电半导体区域、照射区域和标记区，以使标记区具有纹理结构，使照射区域形成第二导电半导体区域；第一导电半导体区域和第二导电半导体区域具有抛光结构；第一激光照射工艺产生的能量大于第二激光照射工艺。
主权项：1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底的第一面上整层形成第一导电半导体层；采用第一激光照射工艺对所述第一导电半导体层进行区域性处理，以使所述半导体基底的第一面的部分区域形成标记区；获取所述标记区并采用第二激光照射工艺对所述第一导电半导体层进行区域性处理，以在所述半导体基底的第一面形成照射区域，在所述第一导电半导体层的部分区域上形成非照射区域；所述非照射区域形成第一导电半导体区域；采用湿法刻蚀处理所述第一导电半导体区域、所述照射区域和所述标记区，以使所述标记区具有纹理结构，并使所述照射区域形成第二导电半导体区域；所述第一导电半导体区域和所述第二导电半导体区域具有抛光结构；所述第一导电半导体区域和所述第二导电半导体区域的导电类型相反；其中，所述第一激光照射工艺产生的能量大于所述第二激光照射工艺产生的能量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池
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