申请/专利权人:浙江大学;浙江驰拓科技有限公司
申请日:2024-03-12
公开(公告)日:2024-06-14
公开(公告)号:CN118198040A
主分类号:H01L23/58
分类号:H01L23/58;H05K9/00
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.14#公开
摘要:本发明公开了一种静磁场屏蔽封装结构及应用,所述封装结构包括封装框架、芯片、磁屏蔽组件以及塑封体;所述磁屏蔽组件包括设置于封装框架上的底垫片、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁,以及设置于所述侧壁上的顶垫片,所述顶垫片上设置有若干开孔;所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱,所述电极柱包括柱体和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极,所述电极位于所述侧壁的两侧。该静磁场屏蔽封装结构通过在侧壁上设置电极柱,电极柱作为一种电连接结构解决磁屏蔽组件内外部的电气连接问题,无需开供键合线通过的侧壁槽口,具有较佳的屏蔽效率,且该静磁场屏蔽封装结构可四面打线,适用于QFP封装领域的磁屏蔽封装。
主权项:1.一种静磁场屏蔽封装结构,其特征在于,包括,封装框架1,所述封装框架包括若干基岛11和于所述基岛四周对应设置的引脚12;磁屏蔽组件2,包括设置于封装框架基岛上的底垫片21、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁22,以及设置于所述侧壁上的顶垫片23,所述顶垫片上设置有若干开孔231;所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱24,所述电极柱包括柱体241和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极242,所述电极位于所述侧壁的两侧;芯片3,所述芯片设置于所述底垫片上;塑封体,所述塑封体包覆所述封装框架、芯片以及磁屏蔽组件。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 浙江大学;浙江驰拓科技有限公司 一种静磁场屏蔽封装结构及应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。