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【发明公布】一种静磁场屏蔽封装结构及应用_浙江大学;浙江驰拓科技有限公司_202410278081.5 

申请/专利权人:浙江大学;浙江驰拓科技有限公司

申请日:2024-03-12

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN118198040A

主分类号:H01L23/58

分类号:H01L23/58;H05K9/00

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.14#公开

摘要:本发明公开了一种静磁场屏蔽封装结构及应用,所述封装结构包括封装框架、芯片、磁屏蔽组件以及塑封体;所述磁屏蔽组件包括设置于封装框架上的底垫片、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁,以及设置于所述侧壁上的顶垫片,所述顶垫片上设置有若干开孔;所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱,所述电极柱包括柱体和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极,所述电极位于所述侧壁的两侧。该静磁场屏蔽封装结构通过在侧壁上设置电极柱,电极柱作为一种电连接结构解决磁屏蔽组件内外部的电气连接问题,无需开供键合线通过的侧壁槽口,具有较佳的屏蔽效率,且该静磁场屏蔽封装结构可四面打线,适用于QFP封装领域的磁屏蔽封装。

主权项:1.一种静磁场屏蔽封装结构,其特征在于,包括,封装框架1,所述封装框架包括若干基岛11和于所述基岛四周对应设置的引脚12;磁屏蔽组件2,包括设置于封装框架基岛上的底垫片21、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁22,以及设置于所述侧壁上的顶垫片23,所述顶垫片上设置有若干开孔231;所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱24,所述电极柱包括柱体241和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极242,所述电极位于所述侧壁的两侧;芯片3,所述芯片设置于所述底垫片上;塑封体,所述塑封体包覆所述封装框架、芯片以及磁屏蔽组件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学;浙江驰拓科技有限公司 一种静磁场屏蔽封装结构及应用

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