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申请/专利权人：苏州科国智新材料科技有限公司
摘要：本发明公开的属于类金刚石膜技术领域，具体为一种类金刚石膜自生长关键工艺方法，包括具体步骤如下：先选取衬底材料，后通过金刚石微粉打磨衬底材料表面清除油污，后再对衬底材料进行清洗烘干，将催化剂、防腐剂、阻燃剂和金刚石微粉置于反应釜中进行混合，以得到涂覆料，将涂覆料涂在衬底材料表面上，将涂有涂覆料的衬底材料放置在真空反应区内，接着抽取空气，在真空度达到5.0×103Pa以下时，将热丝温度升高到2000℃以上，本发明通过在热丝CVD工艺基础上，同时施加含有一定直流偏压成分的射频电场，具有能够解决现有的制备方法存在成核困难、生长速率低、原材料浪费大的问题，此外，所制备的类金刚石膜具有良好的晶体结构。
主权项：1.一种类金刚石膜自生长关键工艺方法，其特征在于，包括具体步骤如下：步骤一：先选取衬底材料，后通过金刚石微粉打磨衬底材料表面清除油污，后再对衬底材料进行清洗烘干；步骤二：将催化剂、防腐剂、阻燃剂和金刚石微粉置于反应釜中进行混合，以得到涂覆料；步骤三：将涂覆料涂在衬底材料表面上；步骤四：将涂有涂覆料的衬底材料放置在真空反应区内，接着抽取空气，在真空度达到5.0×103Pa以下时，将热丝温度升高到2000℃以上，之后，通入反应气体CH4和H2，其CH4和H2的混合比为10％～20％，接着施加200V的直流负偏压和150W的射频电压，持续40min～120min；步骤五：调整参数，将热丝与衬底材料之间的距离调整为6mm～12mm，将热丝温度调整为2000℃～2200℃，将CH4和H2的混合比调整为1％～4％，将射频功率调整为50W～200W，接着持续60min～80min，即可制备出沿衬底材料晶向择优生长的类金刚石膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州科国智新材料科技有限公司 一种类金刚石膜自生长关键工艺方法
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