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申请/专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日：2024-05-17
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198107A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L21/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅终端结构及其制备方法。碳化硅终端结构包括：主结区和终端区，主结区和终端区均包括衬底和第一导电类型层，第一导电类型层位于衬底的一侧；主结区和终端区的第一导电类型层远离衬底的表面均包括第二导电类型区；终端区的第二导电类型区包括多个子区；多个子区在第一方向依次排列，多个子区的单位体积内的掺杂杂质量依次降低，第一方向为主结区指向终端区的方向；多个子区包括第一子区和至少两个其他子区，第一子区位于其他子区邻近主结区的一侧；第一子区包括多个相互连接的变掺杂区，沿第一方向，多个变掺杂区单位体积内的掺杂杂质量依次降低。本发明可以降低电场峰值，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种碳化硅终端结构，其特征在于，包括：主结区和终端区，所述主结区和所述终端区均包括衬底和第一导电类型层，所述第一导电类型层位于所述衬底的一侧；所述主结区和所述终端区的所述第一导电类型层远离所述衬底的表面均包括第二导电类型区；所述终端区的第二导电类型区包括多个子区；所述多个子区在第一方向依次排列，所述多个子区的单位体积内的掺杂杂质量依次降低，所述第一方向为所述主结区指向所述终端区的方向；所述多个子区包括第一子区和至少两个其他子区，所述第一子区位于其他子区邻近所述主结区的一侧；所述第一子区包括多个相互连接的变掺杂区，沿所述第一方向，多个变掺杂区单位体积内的掺杂杂质量依次降低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海超致半导体科技有限公司 一种碳化硅终端结构及其制备方法
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