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申请/专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日：2022-02-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN114530527B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L23/544;H01L31/0236
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.06.10#实质审查的生效;2022.05.24#公开
摘要：本发明是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题提供一种光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构，制备方法指在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构，通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域，刻蚀结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，采用本发明提供的光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
主权项：1.一种光电子器件台面的制备方法，所述光电子器件包括具有至少一个大刻蚀间距的大间距刻蚀区域和和具有至少一个小刻蚀间距的小间距刻蚀区域，其特征在于：在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构，通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域，将大刻蚀间距改变成与小刻蚀间距相同或相近的多个刻蚀间距，使各刻蚀区域的刻蚀负载相同或相近，以使刻蚀时各区域的刻蚀速率相同或相近，先进行干法刻蚀，在不同刻蚀区域获得深度位置基本一致的光电子器件台面，而后再通过湿法腐蚀去掉刻蚀负载结构，最后再通过清洗工艺去除剩余的光刻胶，获得设计尺寸的大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，所述的湿法腐蚀中预留的台面光刻单元侧面的刻蚀余量的二倍大于或等于所述的刻蚀负载结构的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江拓感科技有限公司 光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构
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