申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司

申请日：2024-04-02

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN118213441A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.18#公开

摘要：本发明提供了一种背面SE结构TOPCon电池的制作方法，本发明方法在SE结构的金属区形成高浓度+厚poly，非金属区形成低浓度+薄poly的结构。采用以上方法制成的结构既保证了厚度差异，同时也满足了浓度差异，高浓度和厚poly的金属区保证了浆料的接触性能，非金属区的薄poly和低浓度也可以降低寄生吸收和自由载流子吸收，从而提高短路电流。

主权项：1.一种背面SE结构TOPCon电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、选取N型硅片，对其进行制绒；S2、将制绒后的硅片进行硼扩散；S3、将完成硼扩散后的硅片去除背面以及边缘的BSG，然后再对背面进行碱抛，同时保留正面的BSG；S4、将碱抛后的硅片在背面由下至上依次沉积以下各层：隧穿氧化层、本征poly层、中间氧化层、掺磷poly层，其中掺磷poly层在沉积的同时需要通入含磷气体，进行磷掺杂形成原位掺杂层，并且本征poly层的厚度小于掺磷poly层的厚度；S5、在完成沉积的硅片表面上生成图形化氧化硅掩膜；S6、将形成了氧化硅掩膜的硅片进行碱性刻蚀，在氧化硅保护的区域，下方的膜层不会被腐蚀，而无氧化硅保护的区域会在碱溶液中被碱腐蚀，但由于有中间氧化层的存在，碱在该界面会减缓腐蚀甚至停止腐蚀，不会继续腐蚀下方的poly，因此会有一个刻蚀的时间差，大大增加了腐蚀窗口，形成不同厚度差异结构，即掺磷poly层+本征poly层，以及单独的本征poly层区域，同时受保护区域的氧化硅在后续的HF槽中被去除；S7、将刻蚀好的硅片进行高温磷扩工艺，对背面的本征poly层，同时对掺磷poly层进行晶化和磷扩，由于受保护区域存在一层掺磷poly层，在高温磷扩的同时，除了通入的掺杂源外，其本身也作为掺杂源，而无保护区域只有一层本征poly层，只能通过磷扩的方式掺杂，因此分别形成了厚poly+高掺杂以及薄poly+低掺杂的交错分布；S8、对磷扩后的硅片进行正面PSG刻蚀，然后对硅片进行去绕镀工艺，去除正面绕镀的掺杂多晶硅层；S9、对去绕镀后的硅片进行正面氮化硅+氧化铝镀膜，并进行背面氮化硅镀膜；S10、将镀膜后的硅片利用丝网印刷，正面印刷银铝浆，背面印刷银浆，制成背面SE结构TOPCon电池片。

全文数据：

权利要求：

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