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申请/专利权人：中山大学
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213264A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种氧化镓n型掺杂的生长方法，ε相氧化镓制备技术，针对现有技术中ε相氧化镓n型掺杂的制备质量低等问题提出本方案。基于金属有机化学气相沉积法在衬底上二次生长以制备ε相的氧化镓层；其中第一次生长使用液态氧源制备非故意掺杂层，第二次生长使用气态氧源制备n型掺杂层。优点在于，生长出的ε相氧化镓结构均匀一致，结晶质量高，能得到表面形貌平坦的n型掺杂层。同时实现了高浓度的载流子掺杂和低电阻率。
主权项：1.一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，基于金属有机化学气相沉积法在衬底上二次生长以制备ε相的氧化镓层；其中第一次生长使用液态氧源制备非故意掺杂层，第二次生长使用气态氧源制备n型掺杂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种氧化镓n型掺杂的生长方法
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