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申请/专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118207625A
主分类号：C30B29/16
分类号：C30B29/16;C30B23/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
主权项：1.一种生长氧化镓晶体的金属坩埚，其特征在于，所述金属坩埚包括坩埚体和盖合于所述坩埚体的坩埚盖，所述坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，所述坩埚盖边缘与所述坩埚体的内壁接触，且接触点位于所述坩埚体的开口所在的平面以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司 生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法
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