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【发明公布】射频功率放大器及无线信号发射系统_苏州华太电子技术股份有限公司_202311871664.0 

申请/专利权人:苏州华太电子技术股份有限公司

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118214377A

主分类号:H03F1/42

分类号:H03F1/42;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H04B1/04

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本申请涉及无线电技术领域,具体涉及一种射频功率放大器及无线信号发射系统,所述射频功率放大器包括,第一放大支路,包括第一晶体管,第一晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收射频输出设备发出的射频信号,第一晶体管的漏极用于连接信号发射设备;第二放大支路,包括第二晶体管,第二晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收射频输出设备发出的射频信号,第二晶体管的漏极用于连接信号发射设备;其中,射频功率放大器在工作时,第二晶体管漏极的工作电压大于第一晶体管漏极的工作电压。可使第一放大支路回退状态下的阻抗、第一晶体管漏极所连接的传输线的特征阻抗与合路的阻抗相等,保证在回退状态下射频功率放大器产生的带宽更大。

主权项:1.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括,第一放大支路,包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收所述射频输出设备发出的射频信号,所述第一晶体管的漏极用于连接信号发射设备;第二放大支路,包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极用于连接所述射频输出设备,以接收所述射频输出设备发出的射频信号,所述第二晶体管的漏极用于连接所述信号发射设备;其中,所述射频功率放大器在工作时,所述第二晶体管漏极的工作电压大于所述第一晶体管漏极的工作电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州华太电子技术股份有限公司 射频功率放大器及无线信号发射系统

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