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申请/专利权人：中山大学
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213265A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种氧化镓n型掺杂方法，涉及ε相氧化镓的掺杂方法，针对现有技术中掺杂质量差等问题提出本方案。基于有机化学气相沉积法在衬底上依次生长非故意掺杂层和n型掺杂层；所述非故意掺杂层和n型掺杂层均为ε相氧化镓；在生长n型掺杂层时，在保持镓源和氧源的持续通入的基础上脉冲式通入铟源和n型掺杂剂。优点在于，在使用金属有机化学气相沉积生长n型的氧化镓薄膜时，使用脉冲方法通入反应源，可以改善表面形貌，防止开始生长阶段过量的硅富集在薄膜表面阻碍薄膜愈合。其中铟源可以作为表面活性剂，优化表面形貌，促进薄膜愈合。该方法易于调控反应源流量，从而精确控制掺杂浓度与薄膜的电学性能，便于大规模生产。
主权项：1.一种氧化镓n型掺杂方法，基于有机化学气相沉积法在衬底上依次生长非故意掺杂层和n型掺杂层；所述非故意掺杂层和n型掺杂层均为ε相氧化镓；其特征在于，在生长n型掺杂层时，在保持镓源和氧源的持续通入的基础上脉冲式通入铟源和n型掺杂剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种氧化镓n型掺杂方法
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