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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213370A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供一种改善中压器件GIDL漏电的方法，提供衬底，衬底上包括第一、二中压器件区、以及低压器件区，第一、二中压器件区为互补的MOS器件区，在衬底上形成有栅极介质层，第一、二中压器件区以及低压器件区上的栅极介质层上分别形成有第一至三栅极叠层，第一至三栅极叠层的侧壁形成有侧墙结构；在第一、二中压器件区以及低压器件区上形成第一牺牲层，形成覆盖第一牺牲层的第一光刻胶层，光刻打开第一中压器件区上的第一光刻胶层，使得第一中压器件区上的第一牺牲层裸露，回刻蚀裸露的第一牺牲层，以形成第一侧墙、去除裸露的栅极介质层，利用离子注入形成第一中压器件区上的源、漏区。本发明能够有效降低了中压器件区的GIDL漏电。
主权项：1.一种改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上包括第一、二中压器件区、以及低压器件区，所述第一、二中压器件区为互补的MOS器件区，在所述衬底上形成有栅极介质层，所述第一、二中压器件区以及低压器件区上的所述栅极介质层上分别形成有第一至三栅极叠层，所述第一至三栅极叠层的侧壁形成有侧墙结构；步骤二、在所述第一、二中压器件区以及低压器件区上形成第一牺牲层，形成覆盖所述第一牺牲层的第一光刻胶层，光刻打开所述第一中压器件区上的所述第一光刻胶层，使得所述第一中压器件区上的所述第一牺牲层裸露，回刻蚀所述裸露的所述第一牺牲层，以形成第一侧墙、去除裸露的所述栅极介质层，利用离子注入形成第一中压器件区上的源、漏区，去除所述第一侧墙和所述第一光刻胶层；步骤三、在所述第一、二中压器件区以及低压器件区上形成第二牺牲层，形成覆盖所述第二牺牲层的第二光刻胶层，光刻打开所述第二中压器件区上的所述第二光刻胶层，使得所述第二中压器件区上的所述第二牺牲层裸露，回刻蚀所述裸露的所述第二牺牲层，以形成第二侧墙、去除裸露的所述栅极介质层，利用离子注入形成第二中压器件区上的源、漏区，去除所述第二侧墙和所述第二光刻胶层；步骤四、利用剩余的所述栅极介质层来作为阻挡层，在所述源、漏区上自对准形成金属硅化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善中压器件GIDL漏电的方法
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