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申请/专利权人：美新半导体(绍兴)有限公司;美新半导体(天津)有限公司
摘要：本发明提供一种MEMS传感器及其制作方法，MEMS传感器包括：衬底层；MEMS层，其位于所述衬底层的一侧表面，所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构；盖帽层，其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面；底部阻挡块，其位于所述MEMS层邻近所述衬底层的一侧表面，所述底部阻挡块与所述衬底层相互间隔，以对所述MEMS传感器结构中的可活动部件的运动进行限位。与现有技术相比，本发明在MEMS层上设置阻挡块，以替代氧化物阻挡块，从而在限制MEMS层中的可活动部件位移的同时避免产生静电力。
主权项：1.一种MEMS传感器，其特征在于，其包括：衬底层；MEMS层，其位于所述衬底层的一侧表面，所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构；盖帽层，其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面；底部阻挡块，其位于所述MEMS层邻近所述衬底层的一侧表面，所述底部阻挡块与所述衬底层相互间隔，以对所述MEMS传感器结构中的可活动部件的运动进行限位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美新半导体(绍兴)有限公司 美新半导体(天津)有限公司 一种MEMS传感器及其制作方法
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