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【发明授权】自给能中子探测器及其制造方法_国核自仪系统工程有限公司_201911182371.5 

申请/专利权人:国核自仪系统工程有限公司

申请日:2019-11-27

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN110764130B

主分类号:G01T3/00

分类号:G01T3/00;G01T7/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2020.03.03#实质审查的生效;2020.02.07#公开

摘要:本发明公开了一种自给能中子探测器及其制造方法。该自给能中子探测器包括:发射体、绝缘体、信号电缆芯线、收集体。收集体具有从一端向另一端渐缩的结构,并且发射体设于半径较大的一端。该自给能中子探测器通过反复热拉拔成型。该自给能中子探测器通过从第一端向相反端延伸并逐渐渐缩的拉伸结构,既减小了绝缘体的厚度,又保证了外壳的强度。该自给能中子探测器的制造方法通过同时热拉拔外壳、绝缘体和发射体使得绝缘体的压实度提高,同时绝缘体的厚度减小,这样既提高了中子探测器的强度又提高了中子探测器高温绝缘性能。

主权项:1.一种自给能中子探测器的制造方法,其特征在于,所述自给能中子探测器包括:发射体、绝缘体、信号电缆芯线、收集体;所述收集体的第一端封闭,所述收集体的第二端用于与电缆连接,所述绝缘体设于所述收集体中,所述发射体设于所述绝缘体内并且通过所述绝缘体与所述收集体隔开,所述信号电缆芯线从所述收集体的第二端连接所述发射体,所述收集体为中空的筒形的外壳;其中,所述外壳从所述第一端到所述第二端依次包括相互连接的第一延伸段、第二延伸段、第三延伸段;所述第一延伸段和第三延伸段均为直筒形结构,所述第三延伸段的横截面积小于所述第一延伸段的横截面积;所述第二延伸段从所述第一延伸段开始朝向所述第三延伸段渐缩,所述发射体设于所述第一延伸段内部,所述信号电缆芯线与所述发射体的连接点位于所述第二延伸段内部;所述制造方法包括以下步骤:S1:提供一筒形的收集体、绝缘体和柱形的发射体;S2:将所述绝缘体放置于所述收集体中,将所述发射体放置于所述绝缘体中并使所述发射体被所述绝缘体包裹;S3:对所述收集体、绝缘体和发射体同时进行热拉拔;S4:对热拉拔后的工件进行退火处理。

全文数据:

权利要求:

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