龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底和位于衬底上的初始图形层，初始图形层利用刻蚀工艺所形成；利用等离子体沉积工艺，在初始图形层的侧壁形成覆盖层，初始图形层和覆盖层作为图形层。利用等离子体沉积工艺在初始图形层的侧壁形成覆盖层的过程中，该沉积工艺产生的等离子体能够去除初始图形层侧壁的悬挂键，使得初始图形层的侧壁具有较小的面粗糙度，覆盖层形成在初始图形层的侧壁，因此图形层的侧壁面粗糙度较小，且覆盖层通过等离子体沉积工艺形成，因此覆盖层的表面不具有悬挂键，从而覆盖层的侧壁上不易与环境中的水、O和H接触形成悬挂键，这使得图形层侧壁的面粗糙度较小，从而有利于提高半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底和位于所述衬底上的初始图形层，所述初始图形层利用刻蚀工艺所形成；利用等离子体沉积工艺，在所述初始图形层的侧壁形成覆盖层，所述初始图形层和覆盖层作为图形层，所述等离子体沉积工艺包括直流叠加等离子体工艺或者等离子体增强原子层沉积工艺，沉积工艺产生的等离子体能够去除所述初始图形层侧壁的悬挂键。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号