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一种检测宽禁带半导体电子器件的装置 

申请/专利权人:王红珍

申请日:2021-09-18

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN113834784B

主分类号:G01N21/21

分类号:G01N21/21;G01N21/19

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要:本发明公开了一种检测宽禁带半导体器件的装置,包括加热光组件,探测光入射组件,光路引导组件,探测反射光采集组件和样品表面监测组件,加热光组件产生脉冲加热激光;探测光入射组件包含第一探测激光和第二探测激光,产生不同波长段的连续激光,第一探测激光用于探测金属材料表面的热反射,第二探测激光用于探测宽禁带半导体表面的热反射;单束脉冲激光和两束连续激光初始并不共轴,经过光路引导组件,三束光最终在样品表面处共轴,从而使装置兼具检测表面为金属和表面为宽禁带半导体的材料导热性质的功能。

主权项:1.一种检测宽禁带半导体器件的装置,包括加热光组件,探测光入射组件,光路引导组件,探测反射光采集组件和样品表面监测组件,其特征在于,所述加热光组件产生脉冲加热激光;所述探测光入射组件包含第一探测激光和第二探测激光,产生不同波长段的连续激光,第一探测激光用于探测金属材料表面的热反射,第二探测激光用于探测宽禁带半导体表面的热反射;所述光路引导组件包含第一二向色性滤光片和第二二向色性滤光片;所述两个二向色性滤光片布置在脉冲加热激光的光路上,所述第一二向色性滤光片平面和第一束光入射方向呈45°,第二束光与所述第一二向色性滤光片入射角为45°,且与第一束光入射方向呈90°,第一束光和第二束光经过第一二向色性滤光片后合束共轴形成第一合束光;第二二向色性滤光片平面和所述第一合束光方向呈45°角,第三束光入射方向与第一合束光入射方向呈90°角,同时与第二二向色性滤光片平面呈45°角,所有三束光经过第二个二向色性滤光片后合束共轴,最后,聚焦镜将光束聚焦在样品表面;所述第一束光是脉冲加热激光,第二束光是第一探测激光,所述第三束光是第二探测激光;所述第二探测激光波长与脉冲加热激光波长差的绝对值至少大于10nm;所述探测光入射组件还包括分束镜,所述分束镜包括两个,并分别设置在第一探测激光、第二探测激光的光路上,所述分束镜为12波片、立方偏振分束器和14波片的组合,第一或第二探测激光器发出的探测光依次通过12波片、分束镜立方偏振分束器和14波片,再用反射镜将探测光分别入射到二向色性滤光片,所述探测反射光采集组件和探测光入射组件共用分束镜,探测光反射光原路依次经过聚焦镜,二向色性滤光片,反射镜和分束镜,反射光经过分束镜后部分反射实现反射光路径和入射光路径分离,进而反射光被后续的探测装置探测;所述探测光反射组件包括凸透镜,滤波片,光电探测器,所述样品表面监测组件包括白光光源,光束采样镜,凸透镜和CCD相机。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 王红珍 一种检测宽禁带半导体电子器件的装置

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