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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构，所述目标版图的修正方法包括：提供初始目标版图；自所述初始目标版图获取待修正图形，所述待修正图形包括第一待修正图形，所述第一待修正图形，所述第一待修正图形包括第一边和第二边；对所述待修正图形进行预处理，在垂直于所述第一边的方向上，将所述第一边和所述第二边中的一者或两者朝背向所述第一待修正图形的方向移动。所述修正方法能够提高形成的光刻图形的精度，从而提高半导体结构的电学性能的稳定性。
主权项：1.一种目标版图的修正方法，其特征在于，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干相互分立的第一图形以及若干第二图形，各所述第二图形分别位于相邻的所述第一图形之间，所述第二图形与所述第一图形相互分立，所述第一图形包括相互平行且长度相等的第一边和第二边，且所述第一边和所述第二边之间具有初始第一间距；所述第一图形用于形成光刻图形中的正光刻胶层；自所述初始目标版图获取待修正图形，所述待修正图形包括第一待修正图形，所述第一待修正图形为所述第一边小于第一预设值且所述初始第一间距小于第二预设值的第一图形；所述第一预设值的范围是120纳米至140纳米，所述第二预设值的范围是30纳米至50纳米；对所述待修正图形进行预处理，在垂直于所述第一边的方向上，将所述第一边和所述第二边中的一者或两者朝背向所述第一待修正图形的方向移动；其中，所述第一边朝背向所述第一待修正图形的方向移动的距离为第一预设距离，所述第一预设距离的范围是1纳米至5纳米；所述第二边朝背向所述第一待修正图形的方向移动的距离第二预设距离，所述第二预设距离范围是1纳米至5纳米。
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