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申请/专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日：2018-05-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114039272B
主分类号：H01S5/02253
分类号：H01S5/02253;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/183
优先权：["20170602 DE 102017112235.4"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开
摘要：一种激光二极管1，包括：‑表面发射的半导体激光器10，其设置用于发射电磁辐射E；和‑光学元件20，其沿放射方向L设置在半导体激光器10下游，其中‑光学元件20包括衍射结构200或元光学结构200或透镜结构200，并且‑光学元件20和半导体激光器10材料配合地彼此连接。
主权项：1.一种激光二极管1，所述激光二极管包括：-表面发射的半导体激光器10，所述半导体激光器设置用于发射电磁辐射E；和-光学元件20，所述光学元件沿放射方向L设置在所述半导体激光器10下游，其中-所述光学元件20包括衍射结构200或元光学结构200或透镜结构200，-所述光学元件20和所述半导体激光器10材料配合地彼此连接，-所述光学元件20和所述半导体激光器10借助于连接机构50彼此材料配合地连接，-所述连接机构50将所述半导体激光器10和所述光学元件20沿横向方向R包围，-所述半导体激光器10和所述光学元件20在俯视图中由辐射可穿透的覆盖层91遮盖，并且-所述覆盖层91的材料和层厚度选择为，使得所述覆盖层91对于可见光谱范围内的光辐射不可穿透地构成而对于红外光谱范围内的光辐射可穿透地构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗光电半导体有限公司 激光二极管和用于制造激光二极管的方法
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