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申请/专利权人：国际商业机器公司
申请日：2022-10-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235536A
主分类号：H10B61/00
分类号：H10B61/00;H10B63/00;H10B63/10;H10N30/01;H10N35/01;H10N50/01
优先权：["20211111 US 17/454,570"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种提供半导体结构的方法，所述半导体结构为正在形成有用于增加存储器器件密度的垂直结构的许多新兴非易失性存储器器件中的垂直结构之间的间隙填充材料提供自调平、可流动的介电材料。该半导体结构在半导体结构的存储器区域和逻辑区域两者中的线金属层的后端中的多个接触之间提供平坦电介质表面。所述半导体结构包括各自连接到基于柱的存储器器件的阵列中的基于柱的存储器器件的所述多个接触的第一部分。所述接触的各自连接到所述存储器器件的阵列中的基于柱的存储器器件的所述第一部分驻留在所述自调平介电材料下方的常规层间介电材料中。所述可流动的自调平材料在接触形成期间提供平坦电介质表面。
主权项：1.一种半导体结构，包括：第一介电材料的平坦电介质表面，所述第一介电材料在半导体结构的线金属层的后端中的多个接触之间，其中所述多个接触的所述多个接触的第一部分各自连接到基于柱的存储器器件的阵列中的基于柱的存储器器件；以及在所述第一介电材料之下的第二介电材料，所述第二介电材料围绕所述半导体结构的存储器区域中的所述多个接触部的所述第一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 具有基于柱的存储器阵列的半导体芯片中的接触形成
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