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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231277A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种WAT测试优化方法、系统及可读存储介质，方法包括以下步骤：添加虚拟起点，设定所述虚拟起点与所有测试结构的距离为零；将探针卡在不同测试结构之间移动的测试路径转化为TSP问题，所述虚拟起点作为所述测试路径的起点及终点；求解所述TSP问题的路径解集；根据不同测试结构之间参数的依赖关系，从所述路径解集中选出最优测试路径。通过添加虚拟起点以将探针卡在不同测试结构之间移动的测试路径转化为TSP问题，再根据不同测试结构之间参数的依赖关系，从所述TSP问题的路径解集中选出最优测试路径，从而减少WAT测试时探针卡在不同的测试结构间的移动距离，缩短测试用时。
主权项：1.一种WAT测试优化方法，其特征在于，包括以下步骤：添加虚拟起点，设定所述虚拟起点与所有测试结构的距离为零；将探针卡在不同测试结构之间移动的测试路径转化为TSP问题，所述虚拟起点作为所述测试路径的起点及终点；求解所述TSP问题的路径解集；根据不同测试结构之间参数的依赖关系，从所述路径解集中选出最优测试路径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 WAT测试优化方法、系统及可读存储介质
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