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申请/专利权人：GaN系统公司
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231337A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/48;H01L23/528;H01L23/522;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/495;H01L23/14;H01L23/498;H01L29/778;H01L23/29
优先权：["20221221 US 18/085,660"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种用于半导体功率开关器件的嵌入式裸片封装，其中所述封装包括层压体，所述层压体包括多个介电层和导电金属层的层堆叠。所述裸片背面上的热触点区域附接到引线框。在所述裸片的前侧上的导电金属化的图案化层提供功率半导体器件的电接触区域。在嵌入之前，在所述裸片的所述前侧提供保护性介电层，所述保护性介电层围绕所述裸片的边缘延伸。所述保护性介电层提供保护区域，所述保护区域充当衬垫以保护所述裸片的边缘在层压过程中不受损坏。保护性介电材料可以在所述电接触区域上延伸，以防止在过孔的激光钻孔期间发生蚀刻损伤和损伤，从而减轻对所述半导体器件的有源区域造成的物理损伤、过热或其它潜在损伤。
主权项：1.一种在嵌入式裸片封装之前对包括GaN半导体功率开关器件的半导体裸片进行后处理的方法，包括：在所述裸片的前侧上提供包括导电金属化的图案化层的半导体裸片，所述半导体裸片提供包括源极触点、漏极触点和栅极触点的所述功率开关器件的电接触区域；提供在所述裸片的所述前侧上方延伸的第一介电层；限定穿过所述第一介电层到所述功率开关器件的电接触区域的接触开口；在所述第一介电层上提供延伸穿过所述第一介电层的所述接触开口的导电金属再分布层；图案化所述导电金属再分布层以提供源极触点区域、漏极触点区域和栅极触点区域；提供在所述第一介电层和所述导电金属再分布层的所述源极触点区域、漏极触点区域和栅极触点区域上延伸的保护性第二介电层；所述保护性第二介电层掩蔽所述导电金属再分布层的所述源极触点区域、漏极触点区域和栅极触点区域中的每一个，且所述保护性第二介电层延伸到所述裸片的边缘以形成围绕所述裸片的外围延伸的保护区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： GaN系统公司 功率半导体器件的嵌入式裸片封装的改良
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