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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226703A
主分类号：G03F1/72
分类号：G03F1/72;G03F1/84
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种掩膜制造方法和制造装置、存储介质和电子设备，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造方法包括：形成所述第一子掩膜；检测所述第一子掩膜，获得所述第一子掩膜的图形缺陷；根据所述第一子掩膜的图形缺陷，形成所述第二子掩膜以完成所述掩膜的制造。形成的第二子掩膜的过程中，计入所述第一子掩膜的图形缺陷，使所形成的第二子掩膜修复所述第一子掩膜的图形缺陷，从而避免了所述第一子掩膜的废弃，能够有效控制所述掩膜的制造成本。
主权项：1.一种掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造方法包括：形成所述第一子掩膜；检测所述第一子掩膜，获得所述第一子掩膜的图形缺陷；根据所述第一子掩膜的图形缺陷，形成所述第二子掩膜以完成所述掩膜的制造。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜制造方法和制造装置、存储介质和电子设备
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