龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228653A
主分类号：G06F30/3308
分类号：G06F30/3308;G06F119/08
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开半导体器件的建模方法、装置和设备，涉及半导体物理技术领域，以解决现有技术中漏电模型的模型精度低的问题。本发明公开的半导体器件的建模方法，包括：在不同温度环境下对半导体器件进行数据测试，获得预设温度范围内的器件测试数据；所述器件测试数据至少包括漏电流数据；基于所述漏电流数据与温度之间的关系，构建漏电参数的初始漏电高温模型；将所述初始漏电高温模型与所述漏电流数据进行拟合，调整初始漏电高温模型的模型参数，得到所述半导体器件的目标漏电高温模型。
主权项：1.一种半导体器件的建模方法，其特征在于，包括：在不同温度环境下对半导体器件进行数据测试，获得预设温度范围内的器件测试数据；所述器件测试数据至少包括漏电流数据；基于所述漏电流数据与温度之间的关系，构建漏电参数的初始漏电高温模型；将所述初始漏电高温模型与所述漏电流数据进行拟合，调整所述初始漏电高温模型的模型参数，得到所述半导体器件的目标漏电高温模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 半导体器件的建模方法、装置和设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号