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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248710A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/747
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种双向低压SCR器件，包括：衬底、深阱区、第一阱区、第二阱区、第一环形重掺杂区、第二环形重掺杂区、环形隔离结构和泄放结构，其中，泄放结构至少包括：一第一重掺杂区和两个第二重掺杂区，以构成呈轴对称的两个PN结。本申请通过在泄放结构中横向引入第二重掺杂区P+，使得第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一阱区构成呈轴对称的两个PN结，或者第一重掺杂区、第二重掺杂区和第二阱区构成呈轴对称的两个PN结，和传统SCR器件结构相比，本申请双向低压SCR器件相当于引入一个横向的P+PWN+的PN结或者P+NWN+的PN结，可降低SCR触发电压，使SCR快速导通泄放ESD电流，保护器件内部电路。
主权项：1.一种双向低压SCR器件，其特征在于，包括：衬底；深阱区，所述深阱区位于所述衬底中；呈环形的第一阱区，所述第一阱区位于所述深阱区中；第二阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区中并且位于所述第一阱区的中间位置；泄放结构，至少部分所述泄放结构位于所述第二阱区中，其中，以所述第二阱区的中心轴为轴线，所述泄放结构为轴对称结构，所述泄放结构至少包括：一第一重掺杂区和两个第二重掺杂区，以使所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和所述第一阱区构成呈轴对称的两个PN结，或者，以使所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和所述第二阱区构成呈轴对称的两个PN结；第一环形重掺杂区，所述第一环形重掺杂区位于所述第一阱区中并且环绕所述泄放结构设置；第二环形重掺杂区，所述第二环形重掺杂区位于所述第一阱区中并且环绕所述第一环形重掺杂区设置；以及多个环形隔离结构，至少一所述环形隔离结构位于所述第一环形重掺杂区与所述第二环形重掺杂区之间的所述衬底中，至少一所述环形隔离结构位于所述第一环形重掺杂区与所述泄放结构之间的所述衬底中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 双向低压SCR器件
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