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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248651A
主分类号：H01L23/48
分类号：H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/13;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开一种双面叠层扇出封装器件及其制备方法，封装器件包括带有贯通孔的基板；叠层堆叠的芯片；包封材料层；位于包封材料层上的再布线层；第一导电结构，位于第一表面上的芯片通过第一导电结构与再布线层电气连通；贯穿基板厚度方向的第二导电结构，第二导电结构的至少部分部段设置在基板的至少部分贯通孔中，且第二导电结构将基板的第一表面和第二表面的再布线层电气连通。本发明实施例的方案通过设置在基板上的第二导电结构将基板两个表面上贴装的芯片电连接，其与TSV封装工艺相比，避免了在芯片上制作硅通孔，降低了封装成本，且能够有效提高封装良率，与引线键合封装工艺相比，避免了通过载板和引线进行芯片互连，提高了传输效率。
主权项：1.一种双面叠层扇出封装器件，其特征在于，包括：带有贯通孔的基板，基板的第一表面和第二表面上均设有叠层堆叠的芯片；包封材料层，其填充在至少部分贯通孔内，并包封住所述芯片和所述基板；位于包封材料层上的与所述芯片电气连通的再布线层；位于第一表面的包封材料层中的第一导电结构，其中，位于第一表面上的芯片通过第一导电结构与第一表面的再布线层电气连通；贯穿基板厚度方向的第二导电结构，其中，所述第二导电结构的至少部分部段设置在基板的至少部分贯通孔中，且所述第二导电结构将基板的第一表面和第二表面的再布线层电气连通；设于基板的第一表面的再布线层上的与该再布线层电气连通的封装外接引脚焊盘；以及设于封装外接引脚焊盘上的与封装外接引脚焊盘电气连通的BGA焊料球或焊接芯片引脚凸块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省科学院半导体研究所 双面叠层扇出封装器件及其制备方法
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