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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-05-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248554A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请实施例涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一导电类型的第一漂移区和第二导电类型的体区；形成第一栅极结构和第一阻挡结构，其中，第一栅极结构形成在部分体区和部分第一漂移区的上方，体区还包括未被第一栅极结构覆盖的第一区域，第一漂移区还包括未被第一栅极结构覆盖的第二区域，第一阻挡结构形成在第一漂移区的第二区域的上方；执行离子注入工艺，部分离子注入体区的第一区域中以形成第二导电类型的体区接触区，部分离子通过第一阻挡结构后注入第一漂移区的第二区域中以形成第二导电类型的第一掺杂区。如此，可显著提升器件的击穿电压，且工艺简化。
主权项：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一导电类型的第一漂移区和第二导电类型的体区；形成第一栅极结构和第一阻挡结构，其中，所述第一栅极结构形成在部分所述体区和部分所述第一漂移区的上方，所述体区还包括未被所述第一栅极结构覆盖的第一区域，所述第一漂移区还包括未被所述第一栅极结构覆盖的第二区域，所述第一阻挡结构形成在所述第一漂移区的所述第二区域的上方；执行离子注入工艺，部分离子注入所述体区的所述第一区域中以形成第二导电类型的体区接触区，部分离子通过所述第一阻挡结构后注入所述第一漂移区的所述第二区域中以形成第二导电类型的第一掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
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