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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。
主权项：1.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括：在所述半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖并保护所述集成电路的层；利用多程激光划刻工艺图案化所述掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在所述集成电路之间的所述半导体晶片的区域，所述多程激光划刻工艺包括沿中心划刻路径的第一程、沿第一边缘划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿所述第二边缘划刻路径的第四程、沿所述第一边缘划刻路径的第五程及沿所述中心划刻路径的第六程，其中所述第一程在所述第二程之前执行，所述第二程在所述第三程之前执行，所述第三程在所述第四程之前执行，所述第四程在所述第五程之前执行，并且所述第五程在所述第六程之前执行；以及穿过所述图案化掩模中的所述间隙等离子体蚀刻所述半导体晶片以单体化所述集成电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法
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