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申请/专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日：2021-01-25
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112928019B
主分类号：H01L21/266
分类号：H01L21/266;H01L21/822;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.11.19#著录事项变更;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的漂移区的制造方法，在实现稳定的互为反版的不同注入区中，利用图案化掩膜版蚀刻一介质层形成开口区域，并在开口区域经第一次离子注入形成第一注入区；再去除该图案化掩膜版后在开口区域淀积形成另一介质层，使该另一介质层填充该开口区域；而后去除该开口区域外的前一介质层，再以该另一介质层为阻挡经第二次离子注入在第一注入区两侧形成第二注入区；最后蚀刻去除衬底表面的介质层，以此形成漂移区，使形成有该漂移区的衬底表面为平坦的平面，且两次注入离子的掺杂类型相反。由此一方面能减少光刻工艺步骤，节省制造成本，另一方面也能使衬底表面平坦化，提高成型器件的电性能。
主权项：1.一种用于半导体器件的漂移区的制造方法，包括：在衬底上依次沉积至少形成第一介质层和第二介质层；利用图案化掩膜版蚀刻去除部分的所述第二介质层形成第一开口区域，并在该第一开口区域经第一次离子注入形成第一注入区；去除所述图案化掩膜版后在所述第一开口区域淀积形成第三介质层；蚀刻去除所述第一开口区域外的所述第二介质层，再以所述第三介质层为阻挡经第二次离子注入在所述第一注入区两侧形成第二注入区；蚀刻去除所述第三介质层和所述第一介质层，以此在所述衬底上形成所述漂移区，其中，形成有所述漂移区的所述衬底表面为平坦的平面，且两次注入离子的掺杂类型相反，并且，在所述蚀刻去除所述第一开口区域外的所述第二介质层后，所述漂移区的制造方法还包括：调控互为反版的两个注入区形成间隔，所述调控互为反版的两个注入区形成间隔包括：在所述第三介质层的两侧形成第一侧墙，并且，以所述第三介质层为阻挡经第二次离子注入在所述第一注入区两侧形成第二注入区包括：以所述第三介质层和所述第一侧墙为阻挡经第二次离子注入在所述第一注入区两侧形成所述第二注入区，且形成的所述第二注入区与所述第一注入区之间的间隔为所述第一侧墙在所述第一注入区单侧的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杰华特微电子股份有限公司 用于半导体器件的漂移区的制造方法
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