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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2011-10-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112289673B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：["20101015 US 61/393,729","20101112 US 61/413,315","20110630 US 13/174,090"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开
摘要：本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
主权项：1.一种等离子体处理腔室气体喷嘴，包括：多个入口孔，所述多个入口孔具有第一直径，所述多个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，所述多个入口孔中的每一个具有所述第一直径；至少一个侧孔，所述至少一个侧孔凹入至所述气体喷嘴的一侧中并且实体接合至所述多个入口孔中的至少一个入口孔，以及多个出口孔，所述多个出口孔具有小于所述第一直径的第二直径，所述多个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中并且布置成多个子集，其中出口孔的每一子集接合至入口孔，其中所述多个出口孔中的每一个具有所述第二直径，其中所述多个出口孔布置成多个子集，并且出口孔的每一子集接合至所述多个入口孔中的一个入口孔，其中所述子集中的所述出口孔中的每一个被尺寸设计成使得所述出口孔的子集在所述气体喷嘴的所述下游侧上占据一区域，所述区域不大于所接合的入口孔在所述气体喷嘴的所述上游侧上占据的区域，并且其中所述第二直径在250μm和800μm之间，并且其中一个子集中的所述多个出口孔中的每一出口孔之间的最小壁厚度是0.015英寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
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