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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2021-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114267760B
主分类号：H01L33/14
分类号：H01L33/14;H01L33/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.04.19#实质审查的生效;2022.04.01#公开
摘要：本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法，涉及显示元件技术领域，本申请所提供的技术方案当中，主要对透明导电层的结构进行了改进，透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，其中，第一透明导电层用于和半导体层相连接，其自身电阻率较低，以使得第一透明导电层与半导体层之间容易形成良好的欧姆接触，而第二透明导电层则层叠于第一透明导电层上，以满足芯片对于透明导电层透光率的需求，透明导电层与半导体层容易形成良好欧姆接触的同时，还兼顾了透射率，改善了芯片的出光效率。
主权项：1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一半导体层、第二半导体层和有源层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型彼此相反，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层依次层叠设置在所述衬底上；透明导电层，所述透明导电层设置在所述第二半导体层上并用于与电极相连接，所述透明导电层为层叠结构并至少包括第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层连接在所述第二半导体层上；其中，所述第一透明导电层的电阻率被配置成小于所述第二透明导电层，并且所述第二透明导电层的透射率被配置成大于所述第一透明导电层；所述第一透明导电层与所述第二透明导电层直接连接，还包括：电流阻挡层，所述电流阻挡层设于所述第二半导体层上；所述透明导电层至少设置在所述第二半导体层上，并且包裹所述电流阻挡层；其中，所述电流阻挡层包括由所述第二半导体层延伸并穿过所述第一透明导电层的第一电流阻挡层，所述电流阻挡层还包括自所述第一电流阻挡层背向所述第二半导体层一面延伸至所述第二透明导电层中的第二电流阻挡层；所述第一透明导电层背向于所述第二半导体层一面和所述第一电流阻挡层背向于所述第二半导体层一面齐平设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种正装LED芯片及其制作方法
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