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申请/专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件的保护层，功率半导体器件的金属互联结构包括图形化的顶层金属层，在金属互联结构的表面上形成有图形化的钝化层，钝化层将部分所述顶层金属层的表面露出。保护层形成于钝化层的表面上。保护层的材料采用聚酰亚胺，保护层在图形化后经过后烘处理，后烘处理使保护层的水汽去除并使保护层固化，后烘处理后保护层的剩余厚度大于等于5微米，以提高功率半导体器件的可靠性。发明还公开了一种功率半导体器件的保护层的制造方法。本发明能提高器件的H3TRB、HV‑H3TRB或高加速应力试验HAST能力，从而能提高器件的可靠性。
主权项：1.一种功率半导体器件的保护层，其特征在于：功率半导体器件的金属互联结构包括图形化的顶层金属层，在所述金属互联结构的表面上形成有图形化的钝化层，所述钝化层将部分所述顶层金属层的表面露出；保护层形成于所述钝化层的表面上；所述保护层的材料采用聚酰亚胺，所述保护层在图形化后经过后烘处理，所述后烘处理使所述保护层的水汽去除并使所述保护层固化，所述后烘处理后所述保护层的剩余厚度大于等于5微米，以提高所述功率半导体器件的可靠性。
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权利要求：
百度查询： 上海鼎阳通半导体科技有限公司 功率半导体器件的保护层及其制造方法
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