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申请/专利权人：华南师范大学
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263372A
主分类号：H01L33/26
分类号：H01L33/26;H01L33/00;H01L33/18;H01L33/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种单层非异质结结构的钙钛矿二极管整流器件的光整流的方法，其包括如下步骤：S1、将CsBr和PbBr2溶解在溶剂中，得到前驱体溶液；S2、将所述前驱体溶液涂覆在电极基底上，并加热蒸发溶剂，形成CsPb2Br5单晶层；S3、制备CsPb2Br5单晶的光电器件后，进行退火处理；S4、并对所述CsPb2Br5单晶的光电器件外接电压。通过本发明制备方法所得到的CsPb2Br5单晶层，具有晶体缺陷，该晶体缺陷具有特殊性，令人意外地发现，将该具有晶体缺陷的CsPb2Br5单晶层引入到光电器件之后，可以应用于需要电子输运层和或空穴输运层的光电二极管结构上，无须形成异质结结构，仅靠单层的CsPb2Br5单晶层，即可在外接电源的偏压下，实现二极管整流效果。
主权项：1.一种单层非异质结结构的钙钛矿二极管整流器件，其特征在于，所述单层非异质结结构的钙钛矿二极管整流器件为多层结构，所述CsPb2Br5单晶的光电器件的结构为多层结构，自上而下分别为：CsPb2Br5单晶层、电极层、基底；并且电极层外接电压；所述CsPb2Br5单晶层为具有晶体缺陷的CsPb2Br5单晶制备而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种单层非异质结结构的钙钛矿二极管整流器件及利用其光整流的方法
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