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申请/专利权人：中国地质大学(武汉)
申请日：2022-08-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115356851B
主分类号：G02B27/00
分类号：G02B27/00;G02B6/122
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开
摘要：本发明提供一种基于椭圆孔的高Q值硅基光子晶体环形腔优化方法，包括以下步骤：S1、选定完好的二维三角晶格光子晶体，并获取晶格周期和空气孔半径；S2、在光子晶体内按正六边形的形状去除若干个初始空气孔以形成环形腔；S3、以环形腔中心处为基准建立直角坐标系，并获取环形腔内部和外部各初始空气孔的位移；S4、对位于环形腔内边沿拐角处的各初始空气孔进行椭圆化处理以形成椭圆孔；S5、对剩余的各初始空气孔的孔径和位移进行逐一扫描优化处理，以使每一初始空气孔优化后的孔径和位移对所述环形腔的Q值影响均是最高的。本发明方法步骤简单，能够得到较高Q值的环形腔。
主权项：1.一种基于椭圆孔的高Q值硅基光子晶体环形腔优化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选定完好的二维三角晶格光子晶体，并获取晶格周期和光子晶体内初始的空气孔半径；S2、在所述光子晶体内按正六边形的形状去除若干个初始空气孔以形成环形腔；S3、以所述环形腔中心处为基准建立直角坐标系，并获取所述环形腔内部和外部各初始空气孔的位移；S4、对位于所述环形腔内边沿拐角处的各初始空气孔进行椭圆化处理以形成椭圆孔，其中是根据仿真软件得到的最高Q值来确定对应各初始空气孔的椭圆化程度的；S5、对剩余的各初始空气孔的孔径和位移进行逐一扫描优化处理，以使每一初始空气孔优化后的孔径和位移对所述环形腔的Q值影响均是最高的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国地质大学(武汉) 一种基于椭圆孔的高Q值硅基光子晶体环形腔优化方法
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