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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2020-09-17
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112131820B
主分类号：G06F30/392
分类号：G06F30/392;G06F119/14;G06F119/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.01.12#实质审查的生效;2020.12.25#公开
摘要：本发明公开了一种CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统，该方法包括：建立研磨液、研磨粒子、研磨垫与芯片表面间相互作用的动力学模型；根据动力学模型，获取研磨垫与芯片表面间的接触应力、研磨液在芯片表面的第一浓度分布、研磨粒子在芯片表面的第二浓度分布和研磨垫与芯片表面间的温度分布；根据接触应力、第一浓度分布、第二浓度分布和温度分布，计算芯片表面的研磨率；根据研磨率与芯片表面形貌的函数关系，建立CMP芯片表面形貌仿真模型。本发明提出的CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及基于其的仿真系统，可以实现芯片表面形貌的跨尺度精确仿真。
主权项：1.一种CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法，其中，所述方法为多尺度实现方法，所述多尺度包括粒子级、特征级、芯片级和晶圆级，所述方法包括：建立研磨液、研磨粒子、研磨垫与芯片表面间相互作用的动力学模型；根据所述动力学模型，获取所述研磨垫与所述芯片表面间的接触应力、所述研磨液在所述芯片表面的第一浓度分布、所述研磨粒子在所述芯片表面的第二浓度分布和所述研磨垫与所述芯片表面间的温度分布；根据所述接触应力、所述第一浓度分布、所述第二浓度分布和所述温度分布，计算所述芯片表面的研磨率；以及根据所述研磨率与所述芯片表面形貌间的函数关系，建立所述CMP芯片表面形貌仿真模型；其中，获取所述研磨垫与所述芯片表面间的接触应力包括：将所述芯片表面分为多个网格，计算每个网格中研磨垫与芯片表面间的接触应力： 其中，P0为外部应力，A0为芯片面积，Ai，j为每个网格的面积，Pi，j为每个网格的接触应力，hi，j为芯片表面与参考平面间的距离，k0为模型参数，N为网格数，i，j为网格指标，δi，j为接触因子，C为接触状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统
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